檢測10奈米以下半導體 CD-SEM量測技術邁大步

作者: Ofer Adan
2014 年 08 月 18 日
半導體進入10奈米以下技術節點或三維(3D)結構時,將面臨嚴重的導孔偏移問題,所幸,設備商已研發出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子顯微鏡(CD-SEM),可提供更清晰的對焦和更精細的量測影像,有效克服導孔對準挑戰。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

LCD TV外置式AC變壓器體積過大 內嵌式AC變壓器引起關注

2005 年 06 月 08 日

調高設計彈性/降低編譯器依賴度 內建通用編碼MCU稱雄

2010 年 09 月 23 日

讓耳機雜訊銷聲匿跡 音訊系統單晶片獨領風騷

2011 年 08 月 25 日

大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

2013 年 06 月 06 日

操作更為直覺方便 手勢感測器革新使用者介面

2015 年 08 月 03 日

智慧電網新時代 能源物聯網贏回減排地球

2022 年 01 月 03 日
前一篇
善用反動電勢電壓掌握轉子方位 無感測BLDC設計更Easy
下一篇
宜特AE聲發射測試可預防高頻PCB焊盤坑裂